IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 310 A 150 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 3.623,69

(ekskl. moms)

Kr. 4.529,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 70 enhed(er) afsendes fra 29. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 362,369Kr. 3.623,69

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4578
Producentens varenummer:
IXFN360N15T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

310A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

SOT-227

Serie

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

715nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.07kW

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links