IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 310 A 150 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET
- RS-varenummer:
- 125-8042
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-371
- Producentens varenummer:
- IXFN360N15T2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 328,00
(ekskl. moms)
Kr. 410,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 328,00 |
| 2 - 4 | Kr. 321,42 |
| 5 + | Kr. 311,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 125-8042
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-371
- Producentens varenummer:
- IXFN360N15T2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 310A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Serie | GigaMOS TrenchT2 HiperFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 715nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.07kW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.6mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Serie GigaMOS TrenchT2 HiperFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 715nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.07kW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.6mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 310 A 150 V Forbedring SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 360 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 420 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 500 A 75 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 600 A 40 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 550 A 55 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt 132 A 250 V Forbedring SMPD HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 24 A 1 kV Forbedring SOT-227, HiperFET