IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 310 A 150 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 319,95

(ekskl. moms)

Kr. 399,94

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 67 enhed(er) afsendes fra 20. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 319,95
2 - 4Kr. 313,56
5 +Kr. 303,98

*Vejledende pris

RS-varenummer:
125-8042
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-371
Producentens varenummer:
IXFN360N15T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

310A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

SOT-227

Serie

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.07kW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

715nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links