IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 420 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET Nej IXFN420N10T

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 232,85

(ekskl. moms)

Kr. 291,06

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 7 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 72 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 232,85
2 - 4Kr. 203,46
5 - 9Kr. 196,72
10 - 19Kr. 191,64
20 +Kr. 187,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
125-8043
Producentens varenummer:
IXFN420N10T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

420A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Emballagetype

SOT-227

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

2.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.07kW

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

670nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

25.07 mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links