IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 600 A 40 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 265,69

(ekskl. moms)

Kr. 332,11

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 93 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 265,69
2 - 4Kr. 260,38
5 - 9Kr. 252,38
10 - 14Kr. 249,68
15 +Kr. 246,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
875-2475
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-513
Producentens varenummer:
MMIX1T600N04T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

600A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Emballagetype

SMPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Drain source modstand maks. Rds

1.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

590nC

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

25.25mm

Højde

5.7mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.