IXYS N-Kanal, MOSFET, 600 A 40 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 20 enheder)*

Kr. 3.301,02

(ekskl. moms)

Kr. 4.126,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 80 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
20 +Kr. 165,051Kr. 3.301,02

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4791
Producentens varenummer:
MMIX1T600N04T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

600A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Drain source modstand maks. Rds

1.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

590nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

23.25mm

Højde

5.7mm

Længde

25.25mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.