IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 600 A 40 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 20 enheder)*

Kr. 3.301,02

(ekskl. moms)

Kr. 4.126,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 80 enhed(er) afsendes fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
20 +Kr. 165,051Kr. 3.301,02

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4791
Producentens varenummer:
MMIX1T600N04T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

600A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Drain source modstand maks. Rds

1.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

590nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

25.25mm

Bredde

23.25 mm

Højde

5.7mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links