IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 550 A 55 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 348,24

(ekskl. moms)

Kr. 435,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 348,24
2 - 4Kr. 341,24
5 - 9Kr. 330,84
10 - 14Kr. 327,32
15 +Kr. 323,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
875-2500
Producentens varenummer:
MMIX1T550N055T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

550A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Drain source modstand maks. Rds

1.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

595nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

25.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

23.25 mm

Højde

5.7mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links