IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 500 A 75 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 200,47

(ekskl. moms)

Kr. 250,59

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 200,47
5 - 9Kr. 179,89
10 - 19Kr. 172,11
20 - 79Kr. 163,96
80 +Kr. 152,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
875-2471
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-512
Producentens varenummer:
MMIX1F520N075T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

500A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Emballagetype

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Drain source modstand maks. Rds

1.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

545nC

Gennemgangsspænding Vf

1.25V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

25.25mm

Højde

5.7mm

Bredde

23.25 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links