IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 420 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 1.804,92

(ekskl. moms)

Kr. 2.256,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 50 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 180,492Kr. 1.804,92

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4579
Producentens varenummer:
IXFN420N10T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

420A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-227

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

2.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.07kW

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

670nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

25.07 mm

Højde

9.6mm

Længde

38.23mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links