IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 500 A 75 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 20 enheder)*

Kr. 2.794,16

(ekskl. moms)

Kr. 3.492,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
20 +Kr. 139,708Kr. 2.794,16

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4790
Producentens varenummer:
MMIX1F520N075T2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

500A

Drain source spænding maks. Vds

75V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Emballagetype

SMPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Drain source modstand maks. Rds

1.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

545nC

Gennemgangsspænding Vf

1.25V

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

23.25 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

25.25mm

Højde

5.7mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien


MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links