IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 132 A 250 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET
- RS-varenummer:
- 146-1770
- Producentens varenummer:
- MMIX1F180N25T
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 20 enheder)*
Kr. 5.997,32
(ekskl. moms)
Kr. 7.496,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 299,866 | Kr. 5.997,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-1770
- Producentens varenummer:
- MMIX1F180N25T
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 132A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | SMPD | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 24 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 570W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Bredde | 23.25 mm | |
| Højde | 5.7mm | |
| Længde | 25.25mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 132A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype SMPD | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 24 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 570W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Bredde 23.25 mm | ||
Højde 5.7mm | ||
Længde 25.25mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFETTM GigaMOSTM serien
MOSFET-transistorer, IXYS
Et bredt udvalg af avancerede diskrete effekt-MOSFET-enheder fra IXYS
Relaterede links
- IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt 132 A 250 V Forbedring SMPD HiperFET MMIX1F180N25T
- IXYS Type N-Kanal 420 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 360 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 310 A 150 V Forbedring SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 310 A 150 V Forbedring SOT-227, GigaMOS TrenchT2 HiperFET Nej IXFN360N15T2
- IXYS Type N-Kanal 420 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET Nej IXFN420N10T
- IXYS Type N-Kanal 360 A 100 V Forbedring SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET Nej IXFN360N10T
- IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt 14 A 600 V Forbedring TO-247 Polar IXFH14N60P