IXYS Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 18 A 1000 V Forbedring, 3 Ben, TO-268, Q3-Class

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.927,31

(ekskl. moms)

Kr. 3.659,13

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 97,577Kr. 2.927,31

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4712
Producentens varenummer:
IXFT18N100Q3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

1000V

Emballagetype

TO-268

Serie

Q3-Class

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

660mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

830W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

90nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

14 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

5.1mm

Længde

16.05mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links