IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 76 A 650 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, X2-Class
- RS-varenummer:
- 168-4820
- Producentens varenummer:
- IXTN102N65X2
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 10 enheder)*
Kr. 1.978,24
(ekskl. moms)
Kr. 2.472,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 22. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 197,824 | Kr. 1.978,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4820
- Producentens varenummer:
- IXTN102N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Serie | X2-Class | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 152nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 595W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 25.42 mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Serie X2-Class | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 152nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 595W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 25.42 mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien
Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 76 A 650 V Forbedring SOT-227, X2-Class Nej IXTN102N65X2
- IXYS Type N-Kanal 120 A 650 V Forbedring PLUS247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 54 A 650 V Forbedring ISOPLUS247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 54 A 650 V Forbedring ISOPLUS247, X2-Class Nej IXTR102N65X2
- IXYS Type N-Kanal 120 A 650 V Forbedring PLUS247, X2-Class Nej IXTX120N65X2
- IXYS Type N-Kanal 48 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 4 A 650 V Forbedring TO-220, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej