IXYS N-Kanal, MOSFET, 76 A 650 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, X2-Class
- RS-varenummer:
- 917-1454
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-429
- Producentens varenummer:
- IXTN102N65X2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 264,49
(ekskl. moms)
Kr. 330,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 46 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 264,49 |
| 5 - 9 | Kr. 230,38 |
| 10 - 19 | Kr. 224,25 |
| 20 - 39 | Kr. 218,49 |
| 40 + | Kr. 213,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-1454
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-429
- Producentens varenummer:
- IXTN102N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 595W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 152nC | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.6mm | |
| Længde | 38.23mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 25.42mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 595W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 152nC | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.6mm | ||
Længde 38.23mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 25.42mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien
Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 76 A 650 V Forbedring SOT-227, X2-Class
- IXYS N-Kanal 120 A 650 V Forbedring PLUS247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 54 A 650 V Forbedring ISOPLUS247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 170 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS N-Kanal 145 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS N-Kanal 120 A 650 V Forbedring TO-264, X2-Class
- IXYS N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 4 A 650 V Forbedring TO-220, X2-Class