IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 76 A 650 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, X2-Class
- RS-varenummer:
- 917-1454
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-429
- Producentens varenummer:
- IXTN102N65X2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 264,49
(ekskl. moms)
Kr. 330,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 56 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 264,49 |
| 5 - 9 | Kr. 230,38 |
| 10 - 19 | Kr. 224,25 |
| 20 - 39 | Kr. 218,49 |
| 40 + | Kr. 213,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-1454
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-429
- Producentens varenummer:
- IXTN102N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 595W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 152nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 38.23mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 25.42 mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 595W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 152nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 38.23mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 25.42 mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien
Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 76 A 650 V Forbedring SOT-227, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 120 A 650 V Forbedring PLUS247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 54 A 650 V Forbedring ISOPLUS247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 54 A 650 V Forbedring ISOPLUS247, X2-Class Nej IXTR102N65X2
- IXYS Type N-Kanal 120 A 650 V Forbedring PLUS247, X2-Class Nej IXTX120N65X2
- IXYS Type N-Kanal 48 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 4 A 650 V Forbedring TO-220, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej