Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 168-8747
Producentens varenummer:: IRLL2705TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.390,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.987,50

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 23. marts 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 - 2500	Kr. 2,556	Kr. 6.390,00
5000 +	Kr. 2,428	Kr. 6.070,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 168-8747
Producentens varenummer:: IRLL2705TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	5.2A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOT-223
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	65mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	32nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	16 V
	Effektafsættelse maks. Pd	2.1W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.7mm
	Højde	1.739mm
	Bredde	3.7 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOT-223
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 65mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 16 V
	Effektafsættelse maks. Pd 2.1W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.7mm
	Højde 1.739mm
	Bredde 3.7 mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MY

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5,2A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2,1W maksimal effektafledning - IRLL2705TRPBF

Denne højtydende MOSFET er designet til effektiv strømstyring på tværs af forskellige applikationer. Med en N-kanalskonfiguration giver den fremragende skifteegenskaber, hvilket gør den velegnet til opgaver, der kræver hurtig respons og minimeret energitab. Denne komponent forbedrer effektiviteten og pålideligheden af elektroniske kredsløb, især i automatiserings- og kontrolsystemer.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 5,2A

• Drain-source-spænding på 55V

• Lav Rds(on) på 65mΩ for effektiv drift

• Kompakt SOT-223-pakke til pladsbesparende design

Anvendelsesområder

• Ideel til strømforsyningskredsløb

• Anvendes i strømstyringssystemer til biler

• Bruges ofte til at skifte i højfrekvente kredsløb

• Integreres godt i invertere til vedvarende energisystemer

Hvad er den maksimale spænding, denne komponent kan klare?

Produktet understøtter en maksimal drain-source-spænding på 55 V, hvilket giver mulighed for robust ydeevne i forskellige applikationer.

Kan den fungere ved høje temperaturer?

Ja, den er klassificeret til en maksimal driftstemperatur på +150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i udfordrende miljøer.

Hvordan håndterer denne komponent varmen under drift?

Med en maksimal effektafledning på 2,1 W styrer den effektivt den termiske ydeevne og reducerer risikoen for overophedning.

Er det kompatibelt med standard PCB-designs?

Denne komponent er velegnet til overflademontering, hvilket gør den nem at integrere i standard PCB-layouts.

Hvad gør det til et godt valg til automatiseringsprojekter?

Dens hurtige skifteevne og lave tændingsmodstand bidrager til betydelige energibesparelser og forbedrer effektiviteten i automatiserede systemer.