Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.687,50

(ekskl. moms)

Kr. 5.860,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 - 2500Kr. 1,875Kr. 4.687,50
5000 +Kr. 1,782Kr. 4.455,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-6765
Producentens varenummer:
IRFL024ZTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.1A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SOT-223

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har yderligere funktioner som f.eks. 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.

Meget lav modstand ved tændt

Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax

Relaterede links