Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 89,225

(ekskl. moms)

Kr. 111,525

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.200 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 3,569Kr. 89,23
125 - 225Kr. 3,39Kr. 84,75
250 - 600Kr. 3,249Kr. 81,23
625 - 1225Kr. 3,106Kr. 77,65
1250 +Kr. 1,963Kr. 49,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6764
Elfa Distrelec varenummer:
304-41-676
Producentens varenummer:
IRFL024NTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.8A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SOT-223

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Meget lav modstand ved tændt

Dynamisk dv/dt mærkeværdi

Fastgør omskiftning

Fuldt lavineret

Relaterede links