Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 89,225

(ekskl. moms)

Kr. 111,525

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 3,569Kr. 89,23
125 - 225Kr. 3,39Kr. 84,75
250 - 600Kr. 3,249Kr. 81,23
625 - 1225Kr. 3,106Kr. 77,65
1250 +Kr. 1,963Kr. 49,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6764
Elfa Distrelec varenummer:
304-41-676
Producentens varenummer:
IRFL024NTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.8A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SOT-223

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Meget lav modstand ved tændt

Dynamisk dv/dt mærkeværdi

Fastgør omskiftning

Fuldt lavineret

Relaterede links