Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.8 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.230,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.287,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 - 2500Kr. 1,692Kr. 4.230,00
5000 - 5000Kr. 1,607Kr. 4.017,50
7500 +Kr. 1,506Kr. 3.765,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-6763
Producentens varenummer:
IRFL024NTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.8A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SOT-223

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.

Meget lav modstand ved tændt

Dynamisk dv/dt mærkeværdi

Fastgør omskiftning

Fuldt lavineret

Relaterede links