Infineon N-Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6766
- Producentens varenummer:
- IRFL024ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 122,00
(ekskl. moms)
Kr. 152,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 175 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 04. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 4,88 | Kr. 122,00 |
| 125 - 225 | Kr. 4,638 | Kr. 115,95 |
| 250 - 600 | Kr. 4,44 | Kr. 111,00 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,926 | Kr. 73,15 |
| 1250 + | Kr. 2,322 | Kr. 58,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6766
- Producentens varenummer:
- IRFL024ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.075Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.075Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har yderligere funktioner som f.eks. 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.
Meget lav modstand ved tændt
Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 5.1 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon N-Kanal 2.8 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon N-Kanal 5.2 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon N-Kanal 4.4 A 55 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon 5 A 55 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 1.9 A 55 V HEXFET Fifth Generation
- Infineon N-Kanal 2.6 A 150 V Forbedring SOT-223, HEXFET
- Infineon 2 N-Kanal Mosfet med to N-kanaler 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET