Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET Nej IRFL024ZTRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 106,00

(ekskl. moms)

Kr. 132,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 4,24Kr. 106,00
125 - 225Kr. 4,03Kr. 100,75
250 - 600Kr. 3,86Kr. 96,50
625 - 1225Kr. 2,546Kr. 63,65
1250 +Kr. 2,02Kr. 50,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6766
Producentens varenummer:
IRFL024ZTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.1A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har yderligere funktioner som f.eks. 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.

Meget lav modstand ved tændt

Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax

Relaterede links