Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 84,825

(ekskl. moms)

Kr. 106,025

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 250 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 3,393Kr. 84,83
125 - 225Kr. 3,225Kr. 80,63
250 - 600Kr. 3,088Kr. 77,20
625 - 1225Kr. 2,034Kr. 50,85
1250 +Kr. 1,616Kr. 40,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6766
Producentens varenummer:
IRFL024ZTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.1A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har yderligere funktioner som f.eks. 175 °C samledriftstemperatur, hurtig skiftehastighed og forbedret gentagen lavinebelastning.

Meget lav modstand ved tændt

Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax

Relaterede links