Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
911-4820
Producentens varenummer:
BSP603S2LHUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.2A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

33mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6.5mm

Højde

1.6mm

Bredde

3.5 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q

Infineon OptiMOS™ Series MOSFET, 5,2A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,8W maksimal effektafledning - BSP603S2LHUMA1


Denne N-kanal MOSFET er konstrueret til effektiv ydelse på tværs af forskellige elektriske anvendelser. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 5,2 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V giver den robuste muligheder for strømstyring og -kontrol, hvilket gør den til en vigtig komponent for fagfolk i bil- og elektronikindustrien.

Egenskaber og fordele


• Lav RDS(on) minimerer strømtab under drift

• Maksimal gate-tærskelspænding forbedrer skifteeffektiviteten

• Overflademonteret design letter integrationen i kompakte printkort

• AEC-kvalificeret til at opfylde strenge standarder for bilindustrien

• Drift ved høje temperaturer op til +150 °C giver lang levetid

Anvendelsesområder


• Strømstyring i bilens elektronik

• Velegnet til DC-DC-konvertere i elektriske køretøjer

• Anvendes i motorstyring til robotteknologi og automatisering

• Belastningsafbryder inden for forbrugerelektronik

Hvad er den typiske gate-ladning ved 10V?


Den typiske gate-ladning er 31nC, hvilket optimerer koblingsydelsen ved 10V.

Er den egnet til anvendelse i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den fungerer pålideligt ved temperaturer op til +150 °C, hvilket er ideelt til udfordrende forhold.

Hvordan håndterer denne komponent betydelige strømbelastninger?


Med en maksimal kontinuerlig strøm på 5,2 A kan den effektivt håndtere høje belastninger og samtidig bevare sin ydeevne.

Kan denne MOSFET effektivt reducere energitab?


Ja, den lave RDS(on)-funktion minimerer on-state-modstanden og hjælper med at reducere energitab under drift.

Overholder dette produkt miljøstandarder?


Ja, den er RoHS-kompatibel, hvilket sikrer, at den opfylder miljømæssige sikkerhedsstandarder for elektroniske komponenter.

Relaterede links