Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.288,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.860,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 2,288Kr. 2.288,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-8756
Producentens varenummer:
BSP296NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.2A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.6mm

Længde

6.5mm

Bredde

3.5 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™ småsignals MOSFETs


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links