Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.288,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.860,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 2,288Kr. 2.288,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-8756
Producentens varenummer:
BSP296NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.2A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.6mm

Længde

6.5mm

Bredde

3.5 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™ småsignals MOSFETs


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links