Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 826-9260
Elfa Distrelec varenummer:: 304-44-413
Producentens varenummer:: BSP296NH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 238,60

(ekskl. moms)

Kr. 298,25

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 700 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 10. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
50 +	Kr. 4,772	Kr. 238,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 826-9260
Elfa Distrelec varenummer:: 304-44-413
Producentens varenummer:: BSP296NH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.2A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	SOT-223
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	800mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	0.85V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	1.8W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	4.5nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	6.5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.6mm
	Bredde	3.5mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.2A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype SOT-223
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 800mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 0.85V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 1.8W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 6.5mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.6mm
	Bredde 3.5mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 1,2 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSP296NH6327XTSA1

Denne MOSFET er en overflademonteret effekttransistor, der er designet til omskiftning og styring i biler og industrielle sammenhænge. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed, der er velegnet til anvendelser, der kræver moderat strømhåndtering og højspændingskapacitet, samtidig med at den kan modstå et bredt omgivende temperaturområde til krævende miljøer.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 1,2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter beskedne belastningsstrømme
• 800 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 4,5 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 1,8 W maks. effekttab styrer termisk belastning i kompakte enheder
• ±20 V gate-tolerance understøtter almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til bilstyringsmoduler, der kræver AEC‐Q101-kvalifikation
• Ideel til DC/DC-omformersteder i kompakte strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrivere med lavt strømforbrug i hjælpesystemer
• Kan bruges til batteristyring og strømfordelingsopgaver
• Nyttig til omskifterregulering af bærbart og integreret udstyr

Hvilken hustype skal jeg forvente med hensyn til printkortlayout?

Den leveres i en SOT‐223-pakke til overflademontering med fire ben, hvilket muliggør ensidig varmeledning og nem integration af gennemgående plade.

Hvordan opfører den termiske ydeevne sig ved høje temperaturer?

Enheden er normeret til at fungere i et bredt område fra -55 °C til 150 °C, med effekttab begrænset til 1,8 W for at forhindre termisk overspænding under kontinuerlig drift.

Hvilke begrænsninger for gate-drev skal overholdes under designet?

Den maksimalt tilladte gate-source-spænding er 20 V, så gate-drivere skal konfigureres til at undgå at overskride dette niveau for at beskytte gate-oxidet.

Hvilken parameter påvirker koblingseffektiviteten mest i hurtige PWM-anvendelser?

Den typiske gate-ladning på 4,5 nC påvirker direkte koblingstab og krav til drivenergi under hurtige tilstandsskift.