Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 110-7754
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-977
- Producentens varenummer:
- BSP372NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 267,05
(ekskl. moms)
Kr. 333,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,341 | Kr. 267,05 |
| 100 - 200 | Kr. 4,326 | Kr. 216,30 |
| 250 - 450 | Kr. 4,059 | Kr. 202,95 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,794 | Kr. 189,70 |
| 1250 + | Kr. 3,472 | Kr. 173,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 110-7754
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-977
- Producentens varenummer:
- BSP372NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 270mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 270mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ småsignals MOSFETs
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 1.8 A 100 V Forbedring SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.2 A 100 V Forbedring SOT-223, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 5.2 A 55 V Forbedring SOT-223, OptiMOS AEC-Q
- Infineon Type N-Kanal 540 mA 55 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 190 mA 100 V Forbedring SOT-23, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101