Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 310,05

(ekskl. moms)

Kr. 387,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 650 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 6,201Kr. 310,05
100 - 200Kr. 5,024Kr. 251,20
250 - 450Kr. 4,712Kr. 235,60
500 - 1200Kr. 4,404Kr. 220,20
1250 +Kr. 4,03Kr. 201,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
110-7754
Elfa Distrelec varenummer:
304-36-977
Producentens varenummer:
BSP372NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

270mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.5mm

Bredde

3.5mm

Højde

1.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP372NH6327XTSA1


Denne MOSFET er en overflademonteret koblingstransistor, der er designet til brug, hvor der kræves kompakt, højspændings N-kanalstyring. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til anvendelser, der kræver moderat kontinuerlig strøm med effektiv skifteadfærd.

Egenskaber og fordele:


• 100 V drain-source-kapacitet understøtter højspændingskredsløb
• 270 mΩ lav RDS(on) reducerer ledningstab
• 1,8 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil belastningshåndtering
• 9,5 nC typisk gate-ladning muliggør hurtig drevrespons
• 1.8 W effekttab styrer termisk belastning i SOT-223
• 20 V maks. portdrev muliggør fleksibelt portdrev-design

Anvendelser


• Velegnet til elektroniske undersystemer i biler, der kræver robuste dele
• Ideel til DC-DC-omformere i kompakte strømmoduler
• Anvendes sammen med motordrev, der har brug for højspændingsswitching
• Kan bruges til batteristyring og opladningskredsløb
• Anvendes til generel omskiftning i industrielle styretavler

Hvilken pakke muliggør nem lodning og termisk overførsel?


Enheden leveres i en SOT‐223-pakke til overflademontering, der giver en balance mellem kompakt fodaftryk og en større fane til varmeafledning.

Hvordan tåler den ekstreme omgivelsesforhold?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og dækker driftsscenarier med lav temperatur og høj temperatur.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?


Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige ±20 V for at forblive inden for sikre driftsgrænser.

Hvilken type kanal og tilstand bruger den?


Den anvender en N-kanals topologi med forstærkning tilstand, der er designet til standard koblings- og styringsopgaver.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.