Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.545,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.181,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 - 1000Kr. 2,545Kr. 2.545,00
2000 - 2000Kr. 2,417Kr. 2.417,00
3000 +Kr. 2,265Kr. 2.265,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-1014
Producentens varenummer:
BSP372NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

270mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.5nC

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.6mm

Bredde

3.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP372NH6327XTSA1


Denne MOSFET er en overflademonteret koblingstransistor, der er designet til brug, hvor der kræves kompakt, højspændings N-kanalstyring. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til anvendelser, der kræver moderat kontinuerlig strøm med effektiv skifteadfærd.

Egenskaber og fordele:


• 100 V drain-source-kapacitet understøtter højspændingskredsløb
• 270 mΩ lav RDS(on) reducerer ledningstab
• 1,8 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil belastningshåndtering
• 9,5 nC typisk gate-ladning muliggør hurtig drevrespons
• 1.8 W effekttab styrer termisk belastning i SOT-223
• 20 V maks. portdrev muliggør fleksibelt portdrev-design

Anvendelser


• Velegnet til elektroniske undersystemer i biler, der kræver robuste dele
• Ideel til DC-DC-omformere i kompakte strømmoduler
• Anvendes sammen med motordrev, der har brug for højspændingsswitching
• Kan bruges til batteristyring og opladningskredsløb
• Anvendes til generel omskiftning i industrielle styretavler

Hvilken pakke muliggør nem lodning og termisk overførsel?


Enheden leveres i en SOT‐223-pakke til overflademontering, der giver en balance mellem kompakt fodaftryk og en større fane til varmeafledning.

Hvordan tåler den ekstreme omgivelsesforhold?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og dækker driftsscenarier med lav temperatur og høj temperatur.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?


Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige ±20 V for at forblive inden for sikre driftsgrænser.

Hvilken type kanal og tilstand bruger den?


Den anvender en N-kanals topologi med forstærkning tilstand, der er designet til standard koblings- og styringsopgaver.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.