Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 1.595,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.994,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 - 1000Kr. 1,595Kr. 1.595,00
2000 - 2000Kr. 1,515Kr. 1.515,00
3000 +Kr. 1,419Kr. 1.419,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-1014
Producentens varenummer:
BSP372NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

270mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.6mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.5mm

Bredde

3.5 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS™ småsignals MOSFETs


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links