STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 6 A 1200 V, 3 ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH STW6N120K3
- RS-varenummer:
- 168-8928
- Producentens varenummer:
- STW6N120K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 168-8928
- Producentens varenummer:
- STW6N120K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 6 A | |
| Drain source spænding maks. | 1200 V | |
| Kapslingstype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 2,4 Ω | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 150 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 39 nC ved 10 V | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Længde | 15.75mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Højde | 20.15mm | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.6V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 6 A | ||
Drain source spænding maks. 1200 V | ||
Kapslingstype TO-247 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 2,4 Ω | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 150 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 39 nC ved 10 V | ||
Bredde 5.15mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Længde 15.75mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Højde 20.15mm | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.6V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 6 3 ben MDmesh, SuperMESH STW8NK80Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 1200 V Forbedring TO-247, MDmesh K5
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V TO-220 SuperMESH STP6NK60Z
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STP3NK60ZFP
- STMicroelectronics N-Kanal 4 3 ben MDmesh, SuperMESH STP5NK52ZD
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 500 V TO-220FP SuperMESH STP11NK50ZFP
- STMicroelectronics N-Kanal 10.5 A 800 V TO-220 SuperMESH STP12NK80Z
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V TO-220FP SuperMESH STP6NK60ZFP
