STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH STP6NK60Z

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

6 A

Drain source spænding maks.

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapslingstype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

1,2 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Mindste tærskelspænding for port

3V

Effektafsættelse maks.

110 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Længde

10.4mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

33 nC ved 10 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

4.6mm

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Højde

9.15mm

Driftstemperatur min.

-55 °C