Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 335 mA 55 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSH111BK
- RS-varenummer:
- 170-4850
- Producentens varenummer:
- BSH111BKR
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 999,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.248,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,333 | Kr. 999,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-4850
- Producentens varenummer:
- BSH111BKR
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 335mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSH111BK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.45W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 335mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSH111BK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.45W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Logik- og standardniveau MOSFET'er i et udvalg af huse. Prøve vores robuste og brugervenlige MOSFET’er i 40 V til 60 V området. De er perfekte til anvendelser med begrænset plads og strøm, og de har fremragende skifteevne og førsteklasses sikkert driftsområde (SOA)
N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille SOT23 (TO-236AB) overflademonteret (SMD) plasthus med Trench MOSFET-teknologi
Lav tærskelspænding
Meget hurtigt skift
Trench MOSFET-teknologi
Elektrostatisk udladningsbeskyttelse (ESD) > 3 kV HBM
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Lavside belastningsafbryder
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 335 mA 55 V Forbedring SOT-23, BSH111BK
- Nexperia Type N-Kanal 270 mA 60 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type P-Kanal 3.9 A 20 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type N-Kanal 7.2 A 30 V Forbedring SOT-23, PMV20XNE
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, PMBF170
- Nexperia Type N-Kanal 5.4 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV30UN2
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002
- Nexperia Type N-Kanal 850 mA 30 V Forbedring SOT-23, BSH103