onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 203 A 80 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NTMFS6H800N Nej
- RS-varenummer:
- 172-8781
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H800NT1G
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 172-8781
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H800NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 203A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS6H800N | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 85nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 203A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie NTMFS6H800N | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 85nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
On Semiconductor MOSFET
On Semiconductor DFN5 overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 80 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildens modstand på 2,1 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en konstant drænstrøm på 203A og en maksimal effekttab på 200 W. Minimum- og maksimumspændingen for denne transistor er henholdsvis 6 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• kompakt design
• Afledning (Pb) fri
• Lav QG og kapacitet
• Lav QG og kapacitet for at minimere tab af drivere
• Lav RDS (tændt) for at minimere ledningstab
• Minimering af ledningsspild
• Minimer tab af drivere
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.
• Lille formfaktor (5x6 mm)
Anvendelsesområder
• 48 V systemer
• DC/DC konverter
• Belastningskontakt
• Motorstyring
• Strømkontakter (driver på høj side, driver på lav side, H-broer osv.)
• Skift mellem strømforsyninger
• Synkront ensretter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H800N Nej NTMFS6H800NT1G
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6H800N AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6H800N AEC-Q101 NVMFS6H800NT1G
- onsemi Type N-Kanal 157 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H801N Nej
- onsemi Type N-Kanal 123 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H818N Nej
- onsemi Type N-Kanal 337 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 136 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 119 A 80 V Forbedring DFN-5, NTMFS NTMFS4D0N08XT1G