onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTH Nej
- RS-varenummer:
- 172-8790
- Producentens varenummer:
- NTHL082N65S3F
- Brand:
- onsemi
Manglende forsyning
På grund af en global forsyningsmangel ved vi ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 172-8790
- Producentens varenummer:
- NTHL082N65S3F
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 82mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 81nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 313W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 82mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 81nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 313W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.82mm | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed er SuperFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige strømsystemer for miniaturisering og højere effektivitet. SuperFET III FRFET® MOSFET'ers optimerede omvendt gendannelsesydeevne af husdiode kan fjerne behovet for yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Meget lav gate-opladning (typ. Qg = 81 nC)
Lavere skiftetab
Lav effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 722 pF)
Lavere skiftetab
Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Optimeret kapacitet
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Anvendelsesområder
Telekommunikation
Cloud-system
Industriel
Telekommunikations-strøm
Serverstrøm
Elbil-lader
Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V TO-247 NTHL082N65S3F
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V TO-247, NTHL NTHL082N65S3HF
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V TO-247, NTHL067N NTHL067N65S3H
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V TO-247-4, NTH4LN067N NTH4LN067N65S3H
- onsemi N-Kanal 66 A 650 V, TO-247 NTHL045N065SC1
- onsemi N-Kanal 47 A 650 V TO-247 NTHL060N065SC1
- onsemi N-Kanal 75 A 650 V TO-247 NTHL027N65S3HF
- onsemi N-Kanal 36 A 650 V TO-247 NTHL095N65S3HF