onsemi N-Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247-3L, NTH
- RS-varenummer:
- 277-044
- Producentens varenummer:
- NTHL023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 78,02
(ekskl. moms)
Kr. 97,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 78,02 |
| 10 - 99 | Kr. 70,31 |
| 100 - 499 | Kr. 64,70 |
| 500 - 999 | Kr. 60,06 |
| 1000 + | Kr. 48,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-044
- Producentens varenummer:
- NTHL023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247-3L | |
| Serie | NTH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 263W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247-3L | ||
Serie NTH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 263W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor SiC MOSFETs er optimeret til applikationer med hurtige skift. Planarteknologi fungerer pålideligt med negativ gatespænding og slukker for spidser på gaten. Den har optimal ydeevne, når den drives med 18V gate-drive, men fungerer også godt med 15V gate-drive.
Ultra lav gate-ladning
Højhastighedsskift med lav kapacitans
100% lavine testet
Enheden er halidfri og RoHS-kompatibel