onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247-3L, NTH Nej NTHL023N065M3S
- RS-varenummer:
- 277-044
- Producentens varenummer:
- NTHL023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 79,14
(ekskl. moms)
Kr. 98,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 79,14 |
| 10 - 99 | Kr. 71,28 |
| 100 - 499 | Kr. 65,67 |
| 500 - 999 | Kr. 60,96 |
| 1000 + | Kr. 49,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-044
- Producentens varenummer:
- NTHL023N065M3S
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTH | |
| Emballagetype | TO-247-3L | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 69nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 263W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTH | ||
Emballagetype TO-247-3L | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 69nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 263W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ON Semiconductor SiC MOSFETs er optimeret til applikationer med hurtige skift. Planarteknologi fungerer pålideligt med negativ gatespænding og slukker for spidser på gaten. Den har optimal ydeevne, når den drives med 18V gate-drive, men fungerer også godt med 15V gate-drive.
Ultra lav gate-ladning
Højhastighedsskift med lav kapacitans
100% lavine testet
Enheden er halidfri og RoHS-kompatibel
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 67 A 650 V TO-247-4L, NTH NTH4L023N065M3S
- onsemi N-Kanal 51 A 650 V TO-247-4L, NTH NTHL032N065M3S
- onsemi N-Kanal 50 A 650 V TO-247-4L, NTH NTH4L032N065M3S
- onsemi N-Kanal 70 A 650 V TO-247 NTHL033N65S3HF
- onsemi N-Kanal 70 A 650 V TO-247-4L, NVH NVHL023N065M3S
- onsemi N-Kanal 29 A 1200 V TO-247, NTH NTHL160N120SC1
- onsemi N-Kanal 140 A 750 V TO-247-4L, NTH NTH4L018N075SC1
- onsemi N-Kanal 60 A 1200 V TO-247-4, NTH NTHL040N120SC1
