Toshiba N-Kanal, MOSFET, 7 A 600 V, 3 ben, DPAK (TO-252), TK TK7P60W,RVQ(S
- RS-varenummer:
- 173-2850
- Producentens varenummer:
- TK7P60W,RVQ(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 12.060,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.080,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | Kr. 6,03 | Kr. 12.060,00 |
| 6000 + | Kr. 5,729 | Kr. 11.458,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 173-2850
- Producentens varenummer:
- TK7P60W,RVQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 7 A | |
| Drain source spænding maks. | 600 V | |
| Serie | TK | |
| Kapslingstype | DPAK (TO-252) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 600 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 3.7V | |
| Effektafsættelse maks. | 60 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 6.6mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 15 nC ved 10 V | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Højde | 2.3mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 7 A | ||
Drain source spænding maks. 600 V | ||
Serie TK | ||
Kapslingstype DPAK (TO-252) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 600 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 3.7V | ||
Effektafsættelse maks. 60 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 6.6mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 15 nC ved 10 V | ||
Bredde 6.1mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Højde 2.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET N-kanal, TK6- og TK7-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 7 A 600 V DPAK (TO-252)RVQ(S
- Toshiba N-Kanal 9 3 ben TK TK10P60W,RVQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 5.4 A 600 V Forbedring TO-252, TK
- Toshiba Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-252, DTMOSIV
- Toshiba N-Kanal 55 A 100 V DPAK (TO-252) AEC-Q101 TK55S10N1
- Toshiba N-Kanal 20 A 600 V TO-220S1VX(S
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V DPAK (TO-252), MDmesh STB7ANM60N