Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV

Se alle MOSFET

Indhold 4 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 56,492

(ekskl. moms)

Kr. 70,616

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.552 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
4 +Kr. 14,123

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
827-6126P
Producentens varenummer:
TK12P60W,RVQ(S
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.5A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

DTMOSIV

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

340mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.3mm

Bredde

6.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterede links