Microchip N-Kanal, MOSFET, 200 mA 600 V, 3 ben, TO-243AA, VN2460 VN2460N8-G

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
177-9730
Producentens varenummer:
VN2460N8-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

200 mA

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

TO-243AA

Serie

VN2460

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

25 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

1.5V

Effektafsættelse maks.

1,6 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

20 V

Bredde

2.6mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Længde

4.6mm

Gennemgangsspænding for diode

1.5V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.6mm

Transistoren med optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne af bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikal DMOS FET'er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtigt skiftende hastigheder er ønsket.

Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links