Microchip 1 P-kanal, N-kanal-Kanal Uafhængig N-kanal og P-kanal Mosfet, MOSFET-arrays, 2.1 A 200 V Forbedring, 8 Ben,
- RS-varenummer:
- 598-027
- Producentens varenummer:
- TC2320TG-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3300 enheder)*
Kr. 42.949,50
(ekskl. moms)
Kr. 53.687,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3300 + | Kr. 13,015 | Kr. 42.949,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-027
- Producentens varenummer:
- TC2320TG-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Kanaltype | P-kanal, N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | TC2320 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Transistorkonfiguration | Uafhængig N-kanal og P-kanal Mosfet | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Certificate of Compliance | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Kanaltype P-kanal, N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie TC2320 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Transistorkonfiguration Uafhængig N-kanal og P-kanal Mosfet | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Certificate of Compliance | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip højspændings, lavtærskel N-kanal og P-kanal MOSFET i et 8-leder SOIC-hus er en transistor med forbedringstilstand (normalt slukket), der udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og opretholder samtidig en høj indgangsimpedans og en positiv temperaturkoefficient, som er typisk for MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er enheden fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer pålidelig ydeevne.
Lav tærskel
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitans
Hurtige skiftehastigheder
Fri for sekundær nedbrydning
Relaterede links
- Microchip 1 P-kanal MOSFET-arrays 12 Ben TC8220
- Microchip 1 N-kanal MOSFET-arrays, 1.8 A 200 V
- Microchip 1 P-kanal MOSFET-arrays 8 Ben TC6320
- Microchip 1 P-kanal MOSFET-arrays 8 Ben TC1550
- Infineon 1 Type P MOSFET-arrays 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Microchip 1 Dual N-Kanal Dobbelt N-kanal 2.8 A 240 V Forbedring SOIC, TD9944
- Texas Instruments N-Kanal 2.1 A 12 V Forbedring, PICOSTAR AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 2.1 A 900 V Forbedring TO-220 SuperMESH