Microchip 1 P-kanal, N-kanal-Kanal Uafhængig N-kanal og P-kanal Mosfet, MOSFET-arrays, 2.1 A Forbedring, 8 Ben, SOIC,

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3300 enheder)*

Kr. 60.604,50

(ekskl. moms)

Kr. 75.754,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3300 +Kr. 18,365Kr. 60.604,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
598-027
Producentens varenummer:
TC2320TG-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

P-kanal, N-kanal

Produkttype

MOSFET-arrays

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.1A

Serie

TC2320

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

12Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Uafhængig N-kanal og P-kanal Mosfet

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Certificate of Compliance

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

Microchip højspændings, lavtærskel N-kanal og P-kanal MOSFET i et 8-leder SOIC-hus er en transistor med forbedringstilstand (normalt slukket), der udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og en velprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og opretholder samtidig en høj indgangsimpedans og en positiv temperaturkoefficient, som er typisk for MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er enheden fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer pålidelig ydeevne.

Lav tærskel

Lav modstand ved tændt

Lav indgangskapacitans

Hurtige skiftehastigheder

Fri for sekundær nedbrydning

Relaterede links