Microchip 1 Dual N-Kanal Dobbelt N-kanal, MOSFET-arrays, 2.8 A 240 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TD9944 Nej TD9944TG-G
- RS-varenummer:
- 598-332
- Producentens varenummer:
- TD9944TG-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3300 enheder)*
Kr. 58.317,60
(ekskl. moms)
Kr. 72.897,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3300 + | Kr. 17,672 | Kr. 58.317,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-332
- Producentens varenummer:
- TD9944TG-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | TD9944 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt N-kanal | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.9 mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Certificate of Compliance | |
| Højde | 1.75mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Dual N | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie TD9944 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt N-kanal | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.9 mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Certificate of Compliance | ||
Højde 1.75mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchips vertikale MOSFET'er med dobbelt N-kanal-forbedringstilstand bruger Supertex' gennemprøvede silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndtering, der svarer til bipolære transistorer, sammen med den høje indgangsimpedans og den positive temperaturkoefficient, der er karakteristisk for MOS-enheder. Som med alle MOS-strukturer er denne enhed fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud, hvilket sikrer pålidelig ydeevne selv i krævende miljøer.
Høj indgangsimpedans
Hurtige skiftehastigheder
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundær nedbrydning
Lav indgangs- og udgangslækage
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt N-kanal på normalt niveau 20 A 60 V Dual N SuperSO8 5 x 6,
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET Nej
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 100 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS Nej
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET Nej IRF7831TRPBF
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 60 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101 IPG20N06S4L26AATMA1
- Infineon Type N-Kanal Dual N Kanal Logisk niveau Forbedringstilstand 20 A 100 V Dual N TDSON,
- Infineon 1 Type P MOSFET-arrays 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
