Microchip 1 N-kanal, P-kanal-Kanal Elektrisk isolerede N-kanal- og P-kanalpar (2 par), MOSFET-arrays, 1.8 A 200 V
- RS-varenummer:
- 598-568
- Producentens varenummer:
- TC7920K6-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3300 enheder)*
Kr. 54.799,80
(ekskl. moms)
Kr. 68.501,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3300 + | Kr. 16,606 | Kr. 54.799,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-568
- Producentens varenummer:
- TC7920K6-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Kanaltype | N-kanal, P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | TC7920 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Elektrisk isolerede N-kanal- og P-kanalpar (2 par) | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 4.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Certificate of Compliance | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Kanaltype N-kanal, P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie TC7920 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Elektrisk isolerede N-kanal- og P-kanalpar (2 par) | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 4.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Certificate of Compliance | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchip MOSFET'er med høj spænding, lav tærskel N-kanal og P-kanal i et 12-leder DFN-hus har integrerede udgangsdrændioder med høj spænding, gate-til-kilde modstande og gate-til-kilde Zener-diodeklemmer, hvilket gør dem velegnede til højspændingsimpulseranvendelser. Disse komplementære, højhastigheds, højspændings, gate-klemte MOSFET-par bruger en avanceret vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndtering af bipolære transistorer sammen med den høje indgangsimpedans og den positive temperaturkoefficient, der er karakteristisk for MOS-enheder.
Integreret gate til source-modstand
Integreret gate til kilde Zener-diode
Lav tærskel, lav modstand ved tændt
Lav indgangs- og udgangskapacitet
Hurtige skiftehastigheder