Microchip 1 P-kanal, N-kanal-Kanal To par N- og P-kanaler, MOSFET-arrays, 2.3 A 200 V Forbedring, 12 Ben, DFN, TC8220
- RS-varenummer:
- 598-776
- Producentens varenummer:
- TC8220K6-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3300 enheder)*
Kr. 79.470,60
(ekskl. moms)
Kr. 99.336,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3300 + | Kr. 24,082 | Kr. 79.470,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 598-776
- Producentens varenummer:
- TC8220K6-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET-arrays | |
| Kanaltype | P-kanal, N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | TC8220 | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | To par N- og P-kanaler | |
| Bredde | 4 mm | |
| Længde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Certificate of Compliance | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET-arrays | ||
Kanaltype P-kanal, N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie TC8220 | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration To par N- og P-kanaler | ||
Bredde 4 mm | ||
Længde 4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Certificate of Compliance | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Microchips højspændings, lavtærskel N-kanal og P-kanal MOSFET'er i et 12-leder DFN-hus har integrerede gate-to-source-modstande og gate-to-source Zener-diodeklemmer, der er velegnede til højspændingsimpulseranvendelser. Disse komplementære, højhastigheds, højspændings, gate-klemte N-kanal og P-kanal MOSFET-par udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur sammen med Supertex' gennemprøvede silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination giver strømhåndtering af bipolære transistorer, samtidig med at den giver den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er typisk for MOS-enheder.
Integreret gate til source-modstand
Integreret gate til kilde Zener-diode
Lav tærskel, lav modstand ved tændt
Lav indgangs- og udgangskapacitet
Hurtige skiftehastigheder
Relaterede links
- Microchip 1 N-kanal MOSFET-arrays, 1.8 A 200 V
- Microchip 1 P-kanal MOSFET-arrays 8 Ben TC6320 Nej
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 5 A5 A 20 V DFN, UT6MA3 UT6MA3TCR
- Infineon 1 Type P MOSFET-arrays 6 Ben OptiMOS AEC-Q101
- Microchip 1 P-kanal MOSFET-arrays 8 Ben
- ROHM 2 Type N MOSFET 9 Ben, DFN Nej
- ROHM 2 Type N MOSFET 9 Ben, DFN Nej HS8MA2TCR1
- ROHM Type P-Kanal 6 A 40 V P DFN Nej RF4G060ATTCR