ROHM 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 7 A 30 V Forbedring, 9 Ben, DFN Nej

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.542,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.178,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 22. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 2,542Kr. 2.542,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
223-6202
Producentens varenummer:
HS8MA2TCR1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

9

Drain source modstand maks. Rds

0.08Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

4W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Bredde

3.3 mm

Længde

3.3mm

Højde

0.8mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM lille signal MOSFET har TSMT8 hustype. Den bruges primært til skift.

Lav modstand ved tændt

Lille hus til overflademontering

Blyfri belægning, i overensstemmelse med RoHS

Relaterede links