ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 2.5 A 60 V Forbedring, 7 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 223-6397
- Producentens varenummer:
- UT6JC5TCR
- Brand:
- ROHM
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 7.029,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.787,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,343 | Kr. 7.029,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-6397
- Producentens varenummer:
- UT6JC5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM lille signal MOSFET har DFN1010-3W hustype. Den anvendes primært til skiftekredsløb, høj-side belastningsafbryder og relædriver.
Ultra-lille og blotlagt drænpude uden ledninger for fremragende termisk ledende SMD plasthus
Sidemonteret flanke til automatiseret inspektion af optisk loddetin
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt 2.5 A 60 V Forbedring DFN
- ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.5 A 40 V Forbedring DFN
- ROHM 2 Type N MOSFET 9 Ben, DFN
- ROHM Type P-Kanal 12 A 60 V Forbedring DFN, RF9 AEC-Q101
- Nexperia 2 Type P-Kanal Dobbelt 500 mA -20 V Forbedring DFN, Trench MOSFET
- ROHM Type P-Kanal 12 A 40 V Forbedring DFN, RF9 AEC-Q101
- ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.5 A 60 V Forbedring TSMT
- ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt 7.5 A 60 V Forbedring SOP