ROHM 2 Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 2.5 A 60 V Forbedring, 7 Ben, DFN Nej UT6JC5TCR
- RS-varenummer:
- 223-6398
- Producentens varenummer:
- UT6JC5TCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 72,025
(ekskl. moms)
Kr. 90,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,881 | Kr. 72,03 |
| 50 - 75 | Kr. 2,824 | Kr. 70,60 |
| 100 - 225 | Kr. 2,014 | Kr. 50,35 |
| 250 - 975 | Kr. 1,975 | Kr. 49,38 |
| 1000 + | Kr. 1,694 | Kr. 42,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-6398
- Producentens varenummer:
- UT6JC5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.65mm | |
| Bredde | 2 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.65mm | ||
Bredde 2 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM lille signal MOSFET har DFN1010-3W hustype. Den anvendes primært til skiftekredsløb, høj-side belastningsafbryder og relædriver.
Ultra-lille og blotlagt drænpude uden ledninger for fremragende termisk ledende SMD plasthus
Sidemonteret flanke til automatiseret inspektion af optisk loddetin
AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 2 8 ben, DFN2020 UT6JC5TCR
- ROHM P-Kanal 4 A 60 V DFN2020 RF4L040ATTCR
- ROHM P-Kanal 6 A 40 V DFN2020 RF4G060ATTCR
- ROHM P-Kanal 3 8 ben, DFN2020 UT6JB5TCR
- ROHM N-Kanal 3 A 60 V DFN2020 UT6K30 UT6K30TCR
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 4 6 ben, U-DFN2020 DMC2053UFDBQ-7
- DiodesZetex P-Kanal 4 6 ben DMP6110 DMP6110SFDFQ-7
- ROHM P-Kanal 2 8 ben TT8J3 TT8J3TR
