ROHM 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 7 A 30 V Forbedring, 9 Ben, DFN Nej HS8MA2TCR1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 175,025

(ekskl. moms)

Kr. 218,775

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 75 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 7,001Kr. 175,03
50 - 75Kr. 6,861Kr. 171,53
100 - 225Kr. 6,301Kr. 157,53
250 - 475Kr. 6,176Kr. 154,40
500 +Kr. 6,044Kr. 151,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
223-6203
Producentens varenummer:
HS8MA2TCR1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

9

Drain source modstand maks. Rds

0.08Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

4W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.8mm

Bredde

3.3 mm

Længde

3.3mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

ROHM lille signal MOSFET har TSMT8 hustype. Den bruges primært til skift.

Lav modstand ved tændt

Lille hus til overflademontering

Blyfri belægning, i overensstemmelse med RoHS

Relaterede links