Microchip N-Kanal, MOSFET, 330 mA 9 V Depletion, 5 ben, SOT-23 LND01K1-G
- RS-varenummer:
- 178-5338
- Producentens varenummer:
- LND01K1-G
- Brand:
- Microchip
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 178-5338
- Producentens varenummer:
- LND01K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 330 mA | |
| Drain source spænding maks. | 9 V | |
| Kapslingstype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. | 1,4 Ω | |
| Kanalform | Depletion | |
| Effektafsættelse maks. | 360 mW | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -12 V, +0,6 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Længde | 3.05mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur maks. | +125 °C | |
| Bredde | 1.75mm | |
| Højde | 1.3mm | |
| Driftstemperatur min. | -25 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 330 mA | ||
Drain source spænding maks. 9 V | ||
Kapslingstype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. 1,4 Ω | ||
Kanalform Depletion | ||
Effektafsættelse maks. 360 mW | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -12 V, +0,6 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Længde 3.05mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur maks. +125 °C | ||
Bredde 1.75mm | ||
Højde 1.3mm | ||
Driftstemperatur min. -25 °C | ||
LND01 N-kanal MOSFET-transistorer
Microchip LND01 er en MOSFET-transistor med lav tærskelværdi og udtømningstilstand (normalt tændt). Udformningen kombinerer effekthåndteringsfunktionerne i en Bipolar transistor med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient i MOS-enheder.
Funktioner
Tovejs
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtige omkoblingshastigheder
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Lavt behov for drivstrøm
Nem parallel drift
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtige omkoblingshastigheder
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Lavt behov for drivstrøm
Nem parallel drift
MOSFET-transistorer, Microchip
Relaterede links
- Microchip N-Kanal 300 mA 9 V Depletion SOT-23, LND01 LND01K1-G
- Microchip N-Kanal 72 mA 350 V Depletion SOT-23, DN3135 DN3135K1-G
- Microchip N-Kanal 13 mA 500 V Depletion SOT-23, LND150 LND150K1-G
- Microchip N-Kanal 3 mA 500 V Depletion SOT-23, LND250 LND250K1-G
- Microchip N-Kanal 730 mA 350 V Depletion SOT-89, DN3135 DN3135N8-G
- Microchip N-Kanal 120 mA 450 V Depletion SOT-89, DN3145 DN3145N8-G
- Microchip N-Kanal 200 mA 450 V Depletion SOT-89, DN3545 DN3545N8-G
- Microchip N-Kanal 360 mA 250 V Depletion SOT-89, DN3525 DN3525N8-G
