Infineon N-Kanal, MOSFET, 280 mA 240 V Depletion, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP129H6906XTSA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
165-5824
Producentens varenummer:
BSP129H6906XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

280 mA

Drain source spænding maks.

240 V

Kapslingstype

SOT-223

Serie

SIPMOS®

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

6 Ω

Kanalform

Depletion

Maks. tærskelspænding for port

1V

Mindste tærskelspænding for port

2.1V

Effektafsættelse maks.

1,8 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Bredde

3.5mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

3,8 nC ved 5 V

Længde

6.5mm

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Si

Højde

1.6mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links