Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF840A
- RS-varenummer:
- 178-0835
- Producentens varenummer:
- IRF840APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 592,40
(ekskl. moms)
Kr. 740,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.150 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,848 | Kr. 592,40 |
| 100 - 200 | Kr. 10,071 | Kr. 503,55 |
| 250 + | Kr. 9,479 | Kr. 473,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0835
- Producentens varenummer:
- IRF840APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF840A | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF840A | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF840A seriens Power MOSFET, 500 V drain-source spænding, 8 A kontinuerlig drain-strøm - IRF840APBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er pakket til montering gennem hul for at understøtte konventionel printmontering og varmeafledningstilgange.
Egenskaber og fordele:
• 500 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderat belastningshåndtering • 850 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i lavstrømsdesign • 125 W effekttab giver mulighed for betydelig termisk rum • 38 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd • 30 V gate-source-grænse sikrer kompatibilitet med almindelige gate-drivere
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyningsdesign og konverteringsopgaver • Ideel til koblingstrin i automationsstyringsudstyr • Anvendes til motordrevfrontender, der kræver gennemgående hulkomponenter • Kan bruges til industrielle inverter- og konverterprototyper • Anvendes med diskrete strømkort, der kræver TO-220-montering
Hvilke driftstemperaturer kan jeg forvente for pålidelig brug?
Enheden er normeret til drift fra -55 °C op til maks. 150 °C, understøtter barske omgivelsesforhold og høje samletemperaturer med passende termisk styring.
Hvilke emballeringsbetingelser påvirker køling og montering?
TO-220AB-pakken med gennemgående hul med tre ben muliggør direkte fastgørelse til kølelegemer eller chassisplader, hvilket letter ledningskøling og nem lodning på traditionelle kort.
Hvordan påvirker gate-opladningen valg af driver?
Med en typisk gate-ladning på 38 nC ved det specificerede gate-drev skal du vælge en gate-driver, der er i stand til at levere tilstrækkelig spidsstrøm for at opnå den ønskede skiftehastighed uden overdrevne drevtab.
Hvilke spændings- og strømgrænser skal design overholde?
Kontinuerlig afløbsstrøm bør holdes på eller under 8 A, og afløbs-kildespændingen må ikke overstige 500 V for at undgå overbelastning af enheden.
Er der materielle eller lovmæssige begrænsninger, der skal overvejes?
Komponenten leveres i en RoHS-kompatibel form, hvilket angiver overholdelse af standardbegrænsninger på visse farlige stoffer.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-220, IRF840A
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840AS
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.2 A 500 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF830A
- onsemi Type N-Kanal 22 A 500 V Forbedring TO-220, UniFET