Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF840A
- RS-varenummer:
- 178-0835
- Producentens varenummer:
- IRF840APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 592,40
(ekskl. moms)
Kr. 740,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 3.250 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,848 | Kr. 592,40 |
| 100 - 200 | Kr. 10,071 | Kr. 503,55 |
| 250 + | Kr. 9,479 | Kr. 473,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0835
- Producentens varenummer:
- IRF840APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRF840A | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRF840A | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Power MOSFET har lavt QG-opladningsniveau, hvilket resulterer i et simpelt drevkrav, og den har forbedret gate, lavine og dynamisk DV/dt robusthed.
Driftstemperaturområde for tilslutning og opbevaring - 55 til + 150 oC
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-220, IRF840A
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring TO-263, IRF840AS
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.2 A 500 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF830A
- onsemi Type N-Kanal 22 A 500 V Forbedring TO-220, UniFET