Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF840
- RS-varenummer:
- 281-6027
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-16-205
- Producentens varenummer:
- IRF840PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 1000 enheder)*
Kr. 6.472,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.090,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 6,472 | Kr. 6.472,00 |
| 2000 - 4000 | Kr. 6,103 | Kr. 6.103,00 |
| 5000 + | Kr. 5,546 | Kr. 5.546,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 281-6027
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-16-205
- Producentens varenummer:
- IRF840PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | IRF840 | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie IRF840 | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF840 seriens Power MOSFET, 500 V drain source spænding, 8 A kontinuerlig drain strøm - IRF840PBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømhåndteringsroller i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul til nem montering og kølelegeme i styreenheder.
Egenskaber og fordele:
• 500 V drain-spænding understøtter højspændingskoblingsanvendelser
• 8 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør betydelig belastning
• 125 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 850 mΩ RDS(on) reducerer ledningstab under belastning
• 63 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd
• 20 V maks. gate-source-klassificering beskytter porten mod overspænding
• 8 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør betydelig belastning
• 125 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 850 mΩ RDS(on) reducerer ledningstab under belastning
• 63 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteadfærd
• 20 V maks. gate-source-klassificering beskytter porten mod overspænding
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motorstyringstrin
• Anvendes til belastningsswitching i strømfordelingsmoduler
• Kan bruges til laboratoriehøjspændingstestplader
• Velegnet til diskrete forstærker- og konverterkredsløb
• Ideel til industrielle motorstyringstrin
• Anvendes til belastningsswitching i strømfordelingsmoduler
• Kan bruges til laboratoriehøjspændingstestplader
• Velegnet til diskrete forstærker- og konverterkredsløb
Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den tolerere under drift?
Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer og høje samlescenarier.
Hvordan monteres og køles den i et system?
Den leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul, der muliggør boltet kølelegemetilslutning for effektiv termisk styring.
Hvilke begrænsninger skal designere overholde?
Gate-drev skal forblive inden for ±20 V for at undgå at overskride den maksimale gate-source-klassificering og for at bevare enhedens integritet.
Hvordan relaterer skifteydeevnen til gate-opladning?
Den typiske 63 nC gate-ladning giver designere et grundlag for at beregne driverstrøm og koblingsovergangstider for specificerede drevspændinger.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF
- Vishay Type N-Kanal 8 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 14 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB
- Vishay Type N-Kanal 8.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, D Series
- Infineon Type N-Kanal 353 A 24 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFETPower MOSFET
- ROHM Type N-Kanal 10.7 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ48R