Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF840

RS-varenummer:: 281-6027
Elfa Distrelec varenummer:: 171-16-205
Producentens varenummer:: IRF840PBF
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF840

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 281-6027
Elfa Distrelec varenummer:: 171-16-205
Producentens varenummer:: IRF840PBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8A
	Drain source spænding maks. Vds	500V
	Serie	IRF840
	Emballagetype	JEDEC TO-220AB
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	850mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	125W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A
	Drain source spænding maks. Vds 500V
	Serie IRF840
	Emballagetype JEDEC TO-220AB
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 850mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 125W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRF840 seriens Power MOSFET, 500 V drain source spænding, 125 W effekttab - IRF840PBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings halvlederenhed, der er beregnet til omskiftning og forstærkning i effektelektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til kølelegeme. Komponenten er i overensstemmelse med RoHS og anvender en N-kanalforstærkningstopologi til styring af ledning fra drain-kilde i højspændingskredsløb.

Egenskaber og fordele:

• 500 V mærkeværdi for drain-source til højspændingsanvendelser
• 8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastninger
• 125 W effekttab for øget termisk håndtering
• 850 mΩ Rds(on) balancerer ledningstab og styringsenkelhed
• 63 nC total gate-ladning muliggør forudsigelig koblingskontrol
• 20 V maksimal gate-source-spænding muliggør robust gate-drev

Anvendelser

• Velegnet til switch-mode strømforsyningsudgangstrin
• Anvendes sammen med højspændingsmotordrevskredsløb
• Ideel til industrielle inverterkoblingselementer
• Kan bruges til DC-DC-omformer-high-side-transistorer
• Anvendes til laboratorie-strømtestplader og prototypekort

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den tolerere under drift?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.

Hvordan skal den monteres for at opnå optimal termisk ydeevne?

TO-220AB-formatet med gennemgående hul er designet til fastgørelse til et kølelegeme ved hjælp af flig og befæstelseselement for at maksimere varmeledning.

Hvilke begrænsninger skal designere overholde?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V

typiske gate-drivkredsløb bør give kontrollerede overgange til at styre 63 nC gate-ladning.

Er der garantier i bilkvalitet til brug i køretøjer?

Den er ikke anført som en bilstandardenhed, så designere bør vurdere egnetheden før køretøjsanvendelser.