Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFZ48R
- RS-varenummer:
- 281-6035
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-17-666
- Producentens varenummer:
- IRFZ48RPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 1000 enheder)*
Kr. 9.784,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.230,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 9,784 | Kr. 9.784,00 |
| 2000 - 4000 | Kr. 9,05 | Kr. 9.050,00 |
| 5000 + | Kr. 8,414 | Kr. 8.414,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 281-6035
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-17-666
- Producentens varenummer:
- IRFZ48RPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.018Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFZ48R | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.018Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Power MOSFET bruger avancerede forarbejdningsteknikker til at opnå lav modstand ved tændt pr. siliciumområde. Det er en effektiv og pålidelig enhed til forskellige anvendelser på grund af deres hurtige skiftehastighed og robuste design.
Avanceret procesteknologi
Meget lav modstand ved tændt
Dynamisk dV/dt mærkeværdi
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 10.7 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Vishay Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ
- Vishay Type N-Kanal 17 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ
- Nexperia Enkelt Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB
- Vishay Type N-Kanal 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB
- Infineon Type N-Kanal 353 A 24 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFETPower MOSFET