Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFZ48R
- RS-varenummer:
- 281-6035
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-17-666
- Producentens varenummer:
- IRFZ48RPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 1000 enheder)*
Kr. 9.784,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.230,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 9,784 | Kr. 9.784,00 |
| 2000 - 4000 | Kr. 9,05 | Kr. 9.050,00 |
| 5000 + | Kr. 8,414 | Kr. 8.414,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 281-6035
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-17-666
- Producentens varenummer:
- IRFZ48RPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.018Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie IRFZ48R | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.018Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRFZ48R seriens Power MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 50 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFZ48RPBF
Denne effekt-MOSFET er en N-kanal-transistor med gennemgående hul, der er beregnet til koblings- og strømstyringsroller i industriel og kommerciel elektronik. Den er designet til at fungere over et bredt temperaturområde og er velegnet til krævende miljøer, hvor der kræves høj strømstyrke og robust termisk ydeevne. Enheden indeholder kanalstyring med forstærkning for effektiv ledning i strømkredsløb.
Egenskaber og fordele:
• Lav modstand ved tænding på 0,018 Ω reducerer ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 50 A understøtter tunge belastninger
• Maksimalt effekttab på 190 W muliggør drift med høj effekt
• Maksimal drain-source-spænding 60 V tillader mellemspændingssystemer
• Typisk gate-ladning på 110 nC letter forudsigelig skifteadfærd
• Gate-source-klassificering 20 V giver standard gate-drive-kompatibilitet
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 50 A understøtter tunge belastninger
• Maksimalt effekttab på 190 W muliggør drift med høj effekt
• Maksimal drain-source-spænding 60 V tillader mellemspændingssystemer
• Typisk gate-ladning på 110 nC letter forudsigelig skifteadfærd
• Gate-source-klassificering 20 V giver standard gate-drive-kompatibilitet
Anvendelser
• Anvendes til motordrevstrin i industrielle styreenheder
• Velegnet til DC-DC-omformere og strømforsyninger
• Ideel til effektforstærkningskredsløb med switch-mode
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelsessystemer
• Anvendes sammen med køleelementenheder i højeffektsmoduler
• Velegnet til DC-DC-omformere og strømforsyninger
• Ideel til effektforstærkningskredsløb med switch-mode
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelsessystemer
• Anvendes sammen med køleelementenheder i højeffektsmoduler
Hvilken monteringsmetode kræver den til montering?
Den leveres i en TO-220AB-pakke konfigureret til montering gennem hul og almindelig varmeafleder.
Hvordan fungerer den ved ekstreme omgivelsestemperaturer?
Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug under barske termiske forhold uden at reducere den grundlæggende funktionalitet.
Hvilke hensyn til gate-driver anbefales?
Den maksimale gate-source-spænding er 20 V
Designere bør begrænse drevamplituden i overensstemmelse hermed og tage hensyn til den typiske 110 nC gate-ladning ved dimensionering af gate-drivere.
Hvordan skal termisk styring tilgås i højeffektsdesign?
Med en nominel maksimal effekttab på 190 W skal du implementere tilstrækkelige kølelegemer og termiske grænsefladematerialer, og overvej PCB termiske kanaler for at opretholde forbindelsestemperaturer inden for grænserne.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 17 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ
- Vishay N-Kanal 30 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFZ
- Infineon N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Vishay N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- onsemi N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 79 A 150 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- Vishay N-Kanal 8 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF840A
- Vishay N-Kanal 1.2 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF710