onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Power88, FCMT Nej
- RS-varenummer:
- 178-4241
- Producentens varenummer:
- FCMT250N65S3
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 39.315,00
(ekskl. moms)
Kr. 49.143,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 13,105 | Kr. 39.315,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4241
- Producentens varenummer:
- FCMT250N65S3
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Power88 | |
| Serie | FCMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 8 mm | |
| Længde | 8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Power88 | ||
Serie FCMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 8 mm | ||
Længde 8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 210 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring Power88, FCMT Nej FCMT250N65S3
- onsemi Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring PQFN, FCMT Nej
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PQFN, FCMT Nej
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PQFN, FCMT Nej FCMT125N65S3
- onsemi Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring PQFN, FCMT Nej FCMT360N65S3
- onsemi N-Kanal 17 A 650 V Power88 FCMT180N65S3
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-220 Nej
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PQFN, NTMT110N Nej