onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 42 A 60 V Forbedring, 8 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 178-4629
- Producentens varenummer:
- NTMFD5C674NLT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 52,81
(ekskl. moms)
Kr. 66,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 5,281 | Kr. 52,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4629
- Producentens varenummer:
- NTMFD5C674NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.1mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.1mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Industriel Power MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og høj termisk ydelse.
Lav aktiv modstand
Håndterer høje strømstyrker
Lille format (5 x 6 mm)
Fordele
Minimalt ledningstab
Robust belastningsydeevne
Kompakt design
Anvendelsesområder
Motorstyring
Synkron DC til DC-regulator
Strømkontakter (højside-driver, lavside-driver, H-broer osv.)
Batteristyring og beskyttelse
Slutprodukter
Batteripakker
Strømforsyninger
Roterende droner
El-værktøj
PoE (Power over Ethernet, strøm gennem Ethernet)
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 42 A 60 V Forbedring DFN
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 68 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 42 A 60 V Forbedring DFN, NVMFD5C674NL AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 25 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 70 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 29 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 127 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 27 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101