Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 Nej
- RS-varenummer:
- 178-7485
- Producentens varenummer:
- BSC028N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 41.870,00
(ekskl. moms)
Kr. 52.340,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 8,374 | Kr. 41.870,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-7485
- Producentens varenummer:
- BSC028N06NSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 37nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.35 mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.35 mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOS™ MOSFET i 5-serien, 137A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 100W maksimal effektafledning - BSC028N06NSATMA1
Denne højeffekt-MOSFET er velegnet til applikationer, hvor effektivitet og pålidelighed er afgørende. Med en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 137 A og en nedbrydningsspænding på 60 V er den velegnet til strømstyringssystemer, hvilket gør den til et fremragende valg for fagfolk inden for automatisering og elektronik. Dens forbedrede gate-tærskelspændingsområde fremmer præcis switching-ydelse og sikrer effektiv drift i forskellige miljøer.
Egenskaber og fordele
• Understøtter applikationer med høj effekt med en maksimal effektafledning på 100W
• Lav RDS(on) på 4,2 mΩ for forbedret effektivitet
• N-kanal-konfiguration for forbedret ydeevne
• TDSON-pakke til effektiv varmestyring
• Minimum driftstemperatur på -55°C, ideel til ekstreme forhold
• Lavineklassificeret for holdbarhed under transiente forhold
Anvendelsesområder
• Anvendes i synkrone ensretningskredsløb til strømforsyninger
• Velegnet til elektriske køretøjer og industriel automatisering
• Anvendes i switch-mode-strømforsyninger til effektiv energiomdannelse
• Bruges i UPS-systemer til pålidelige løsninger til strømbackup
• Velegnet til DC-DC-konvertere og invertere i vedvarende energisystemer
Hvad er det passende temperaturområde for drift?
Den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket imødekommer forskellige miljøforhold.
Hvordan håndterer denne komponent varmestyring?
Enhedens TDSON-pakke optimerer den termiske modstand og sikrer effektiv varmeafledning under drift.
Hvilken gate-spænding er nødvendig for optimal ydelse?
Den maksimale gate-source-spænding er ±20V, mens gate-tærskelspændingen varierer fra 2,1V til 3,3V, hvilket giver effektive drivforhold.
Kan den bruges i højfrekvente switching-applikationer?
Ja, den er designet med dynamiske egenskaber, der understøtter højfrekvente skift, hvilket gør den velegnet til moderne elektroniske designs.
Hvilke sikkerhedsforanstaltninger er der mod elektrisk overbelastning?
Den er valideret til industrielle anvendelser og fuldt lavinetestet, hvilket giver sikkerhed mod kortvarige overspændinger i det elektriske behov.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 137 A 60 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSC028N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 60 V OptiMOS™ BSC014N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 60 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSC039N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 60 V TDSON, OptiMOS™ 5 BSC016N06NSATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 60 V TDSON, OptiMOS™ 3 BSC028N06LS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 134 A 60 V TDSON, OptiMOS™ BSC027N06LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 20 A 60 V TDSON, OptiMOS™ IPG20N06S4L26AATMA1
- Infineon N-Kanal 46 A 60 V TDSON, OptiMOS™ BSC097N06NSATMA1
