Infineon N-Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

RS-varenummer:: 178-7486
Producentens varenummer:: BSC600N25NS3GATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 52.830,00

(ekskl. moms)

Kr. 66.040,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 10,566	Kr. 52.830,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7486
Producentens varenummer:: BSC600N25NS3GATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	25A
	Drain source spænding maks. Vds	250V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	60mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	125W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	22nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	6.1mm
	Bredde	5.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A
	Drain source spænding maks. Vds 250V
	Emballagetype TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 60mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 125W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 6.1mm
	Bredde 5.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

BSC600N25NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 3 seriens MOSFET, 250 V drain source-spænding, 25 A kontinuerlig drain-strøm - BSC600N25NS3GATMA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til effektkobling i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et udvidet termisk område og er velegnet til kredsløb, der kræver robust håndtering af drain-to-source-spænding og moderat kontinuerlig strøm. Enheden leveres i et 8-benet TDSON-pakke til kompakt integration på kortniveau.

Egenskaber og fordele:

• 250 V afløbsspænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 25 A kontinuerlig strøm understøtter betydelig belastningshåndtering
• 60 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 22 nC typisk gate-ladning muliggør reaktiv omskiftning
• 125 W maks. effekttab muliggør forøget termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-DC-DC-omformere på strømkort
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes med motordrevstrin, der kræver 25 A håndtering
• Kan bruges til switch-mode strømforsyninger med snævre fodaftryk
• Velegnet til industrielle koblingskredsløb, der er udsat for ekstreme temperaturer

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under designet?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at forhindre gate-oxidbelastning og sikre enhedens pålidelighed.

Hvordan påvirker kanaltypen valg af kredsløbstopologi?

Som en N-kanalforbedringsenhed placeres den typisk på den lave side af kontakter eller bruges i synkrone topologier for forbedret effektivitet.

Hvilket termisk miljø tåler den under drift?

Komponenten fungerer fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i installationer med bredt temperaturområde, hvor omgivelsesforholdene varierer.

Hvilke hensyn til pakkemontering anbefales?

TDSON-formatet til overflademontering kræver passende PCB-varmepuder og loddeprofiler for at håndtere varmeafledning og mekanisk stabilitet.