Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8

RS-varenummer:: 180-7358
Producentens varenummer:: SIS412DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 7.863,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.828,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 2,621	Kr. 7.863,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7358
Producentens varenummer:: SIS412DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	PowerPAK 1212-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.03Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3.8nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	15.6W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.61mm
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21
	Længde	3.61mm
	Højde	0.79mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype PowerPAK 1212-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.03Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.8nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 15.6W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.61mm
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21
	Længde 3.61mm
	Højde 0.79mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 12 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIS412DN-T1-GE3

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching i kompakte elektroniske systemer. Den fungerer ved en maksimal drain-source-spænding på 30 V og understøtter vedvarende drain-strømme, der er velegnet til anvendelser med mellemstor effekt. Komponenten er beregnet til montering på kortniveau i konstruktioner, hvor der kræves lave ledningstab og moderat effekthåndtering, og fungerer pålideligt over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 0,03 Ω for reducerede ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm 12 A for højere belastningsevne
• Typisk gate-ladning Qg 3,8 nC, der muliggør hurtigere skifteovergange
• Nominelt effekttab på 15,6 W for vedvarende termisk ydeevne
• Gate-source spændingstolerance ±20 V for drevfleksibilitet
• Driftsområde fra -55 til 150 °C til anvendelse i et bredt temperaturområde

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i kompakte forsyninger
• Ideel til batteristyring og strømfordelingsfaser
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver kobling med høj strøm
• Kan bruges til belastningskontakter i telekommunikationsudstyr
• Nyttig i LED-drivere, hvor lav Rds(on) reducerer varmen

Hvilken pakketype skal jeg forvente ved planlægning af fodaftryk?

Enheden leveres i en PowerPAK 1212-8-pakke til overflademontering, der måler 3,61 x 3,61 mm, hvilket muliggør printkortlayouter med høj tæthed og effektiv termisk kontakt til kobberplaner.

Hvordan opfører enheden sig termisk under belastning?

Ved dens maksimale effekttab på 15,6 W kræver enheden passende termisk PCB-design, da forbindelses-til-omgivelsesvarmen skal styres, så den forbliver inden for den maksimale driftstemperatur på 150 °C.

Hvilke koblingsegenskaber påvirker valg af driver?

Med en typisk gate-ladning på 3,8 nC skal gate-drevet forsyne korte strømimpulser under overgange

Dette sænker koblingstab, men kræver hensyntagen til driverens spidsstrøm og gate-modstand.

Er der grænser for omvendt ledning til brug i synkrone kredsløb?

Den fremadrettede spænding er specificeret som 1,2 V, så ledningsføring og genopretningsadfærd fra body-diode bør evalueres i synkronretningstopologier for at vurdere tab under hændelser med omvendt strøm.